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EIS/等效电路拟合

对 EIS 数据执行等效电路拟合

EIS/等效电路拟合

当你已经看过 Nyquist/Bode 图,并希望把曲线中的电阻、电容、扩散或传输线特征转化为可比较的参数时,可以使用这个流程。

它会对一组 EIS 数据进行等效电路拟合,输出每个样品的拟合曲线、参数表和残差诊断。适合用于比较不同样品、不同处理条件或循环前后的界面动力学差异。

输入数据

可以选择仪器导出的原始 EIS 数据文件夹,也可以多选一组原始数据文件。常见文本、CSV、Excel、EC-Lab .mpr、Gamry .dta、VersaStudio .par 文件会被自动识别。

操作步骤

  1. 选择 EIS 数据:选择一个文件夹,或多选一组属于同一次实验的数据文件。
  2. 选择电路模型:可以直接使用预设模型,也可以输入自定义电路表达式。
  3. 设置拟合参数:默认使用自动初值和推荐边界;需要时可以输入参数规则来设置初值、边界或固定值。
  4. 查看拟合结果:拟合完成后,先看 Nyquist 拟合图、随频率变化的残差和 KK 检查,再决定参数是否可用于论文或报告。
  5. 可选导出 Word 分析报告:点击后生成一份图文并茂的 .docx 批次报告,适合归档、沟通和进一步编辑。
  6. 可选导出 Origin 工程:需要进一步排版作图时,可以生成 .opju 文件。

电路表达式怎么写

  • 串联使用 -,例如 R0-C1
  • 并联使用 p(...),例如 R0-p(C1,R1) 表示串联电阻后接一个电容/电阻并联支路。
  • 输入时可以混用全角括号、中文逗号、中文连接符和 P(...),流程会自动转换为标准表达式。例如 R0-P(C1,R1)-W1 会按 R0-p(C1,R1)-W1 处理。
  • 同类元件用数字编号区分,例如 R0R1C1
  • 如果写成没有编号的元件,流程会自动补编号。例如 R0-p(C1,R1)-G-L 会按 R0-p(C1,R1)-G1-L1 处理。
  • 如果元件编号重复,系统会自动为后续元件分配唯一编号,并展示原始表达式和整理后的表达式。例如 R0-p(CPE1,R1)-p(CPE1,R1) 会整理为 R0-p(CPE1,R1)-p(CPE2,R2)。确认整理后的模型后,参数配置、拟合和导出均使用确认结果。
  • 多参数元件会展开为多个拟合参数。例如 CPE1 对应 CPE1_0CPE1_1Wo1 对应 Wo1_0Wo1_1

常用预设模型:

  • R0-C1 — 串联电阻 + 单一电容
  • R0-p(C1,R1) — 串联电阻 + 电容/电阻并联(双电层电容与电荷转移电阻并联的典型形式)
  • R0-CPE1 — 串联电阻 + 常相位元件(非理想电容)
  • R0-p(CPE1,R1) — 串联电阻 + CPE/电阻并联(适合界面粗糙、孔结构或时间常数分布明显的电极)
  • R0-p(C1,R1)-W1 — 串联电阻 + (电容/电阻并联) + Warburg(在界面电荷转移之外加入半无限扩散阻抗)

全部支持的元件、单位与阻抗公式见下文「元件总览」。

拟合参数怎么设置

大多数情况下直接使用默认设置即可。全部参数都会参与拟合,流程会针对每个样品自动估计初始值,并使用推荐的参数边界。

参数区会列出当前电路的全部参数、单位和推荐范围。规则输入框留空时,所有参数都参与拟合,并使用自动初值和推荐边界。只有需要覆盖自动设置时才填写规则:

  • R0=1.0:将 R0 固定为 1.0,不参与优化,也没有拟合置信区间。
  • R1~100:让 R1 参与拟合,并使用 100 作为初值。
  • R1>0R1<=1e6:设置单侧拟合边界。
  • 0<CPE1_1<=1:同时设置下界和上界。
  • R1~100, 0<R1<1e6:组合初值和边界。

多条规则可以使用逗号或分号分隔,也可以使用中文输入法的全角标点。未写入规则的参数继续使用自动设置。所有规则都会应用到本次选择的全部样品。

固定值应来自独立测量、几何关系或明确的模型假设;只因为某次拟合得到了一个数值,并不能说明它是可靠的物理先验。固定值或输入边界超出推荐范围时,流程会给出警告并记录到结果中,但仍允许具有明确依据的专业用户继续运行。自动初值落在输入边界外时,流程会将初值调整到边界内并记录该调整。

如果初值不确定,但电路结构较复杂,可以勾选“使用全局优化”。它会尝试更大范围的参数搜索,但运行时间会明显增加。

输出结果

每个样品会输出:

  • *_circuit_fit.csv:实验阻抗、拟合阻抗和实部/虚部残差。
  • *_circuit_fit.png:实验点与电路拟合线的 Nyquist 对比图,以及随频率变化的相对残差。
  • circuit_summary.json:电路表达式、原始参数规则、逐参数实际初值与边界、固定值、警告、拟合参数、置信区间和 RMSE。

批量汇总结果包括:

  • fit_summary.csv:所有样品的拟合参数汇总表。
  • fit_diagnostics.csv:拟合质量和简单诊断信息。
  • fit_diagnostics.md:适合快速阅读的拟合报告。
  • filter_circuit_report.docx:点击「导出 Word 报告」后生成的图文分析报告。
  • filter_circuit_fit.opju:可选生成的 Origin 工程。

拟合报告会额外给出逐样品、逐参数的 Markdown 表格。“固定规则”列使用 参数=值 格式,便于复制某个结果值并在重新运行时固定参数。批量运行中手动填入的固定值会应用到全部样品,请确认复制值的适用范围。

Word 分析报告

Word 报告按一次拟合批次导出为一份 filter_circuit_report.docx。它包含:

  • 样品、源文件名、识别格式、文件大小、修改时间、有效点数和频率范围;
  • 实际执行的数据预处理步骤,以及明确未执行的平滑、异常点删除、空白扣除和基线校正;
  • 电路表达式、拟合方式、Lin-KK 设置、参数规则、初值、边界、固定参数和参数警告;
  • 批次拟合汇总、数据完整性/高频实部/KK 质量检查及必要警告;
  • 电路图、逐样品 Lin-KK 图、Nyquist 拟合图和完整参数表;
  • 结果解释边界,以及分析流程版本、分析时间和科学计算环境版本。

报告基于本次拟合可得的数据生成。Lin-KK 和拟合质量标签都只用于工程筛查,不能单独证明电路机理或参数的唯一性。

如果按钮显示「Word 导出不可用」,请升级 Oparic 后重试;拟合本身不受影响。

怎么判断拟合是否可信

  • 拟合线应在 Nyquist 图上贴近实验点,尤其是半圆顶部、低频扩散尾和高频截距。
  • rmse_rel 越小,说明整体残差越小;但残差小不一定代表模型唯一或机理正确。
  • 参数应有合理量级。例如溶液电阻通常为正,CPE 指数通常在 0 到 1 之间。
  • 不要只比较一个参数。建议同时比较电路结构、拟合图、残差和电化学背景。
  • 如果多个电路都能拟合得很好,应优先选择更简单、物理意义更明确的模型。

元件总览

下表列出本流程支持的等效电路元件。设 ω=2πf\omega = 2\pi fj=1j=\sqrt{-1}

元件拟合参数单位常见含义
RR0Ω\Omega欧姆电阻、溶液电阻或电荷转移电阻
CC0F\mathrm{F}理想电容,如理想双电层电容
LL0H\mathrm{H}电感或高频寄生响应
WW0Ωs1/2\Omega\,\mathrm{s}^{-1/2}半无限 Warburg 扩散阻抗
WoWo0_0, Wo0_1Ω\Omega, s\mathrm{s}开路(有限空间)Warburg 元件
WsWs0_0, Ws0_1Ω\Omega, s\mathrm{s}短路(有限长度)Warburg 元件
CPECPE0_0, CPE0_1Ω1sα\Omega^{-1}\,\mathrm{s}^{\alpha}, 无量纲常相位元件,用于非理想电容
LaLa0_0, La0_1Hs\mathrm{H}\,\mathrm{s}, 无量纲修正电感,描述非理想电感行为
GG0_0, G0_1Ω\Omega, s\mathrm{s}Gerischer 元件,描述反应-扩散耦合
GsGs0_0, Gs0_1, Gs0_2Ω\Omega, s\mathrm{s}, 无量纲有限长度 Gerischer 元件
KK0_0, K0_1Ω\Omega, s\mathrm{s}单一 RC 弛豫过程
ZarcZarc0_0, Zarc0_1, Zarc0_2Ω\Omega, s\mathrm{s}, 无量纲压扁半圆或 Cole-Cole 型弛豫
TLMQTLMQ0_0, TLMQ0_1, TLMQ0_2Ω\Omega, Fsγ1\mathrm{F}\,\mathrm{s}^{\gamma-1}, 无量纲含非理想界面电容的简化传输线模型
TT0_0, T0_1, T0_2, T0_3Ωm2\Omega\,\mathrm{m}^2, Ωm2\Omega\,\mathrm{m}^2, 无量纲, s\mathrm{s}宏观均相多孔电极传输线模型

附录:元件公式

串联与并联的组合规则为:

Zseries=Z1+Z2++ZnZ_{\mathrm{series}} = Z_1 + Z_2 + \cdots + Z_n

Zparallel=11Z1+1Z2++1ZnZ_{\mathrm{parallel}} = \frac{1}{\frac{1}{Z_1}+\frac{1}{Z_2}+\cdots+\frac{1}{Z_n}}

各元件的阻抗表达式如下:

元件公式
RZR=RZ_R=R
CZC=1jωCZ_C=\frac{1}{j\omega C}
LZL=jωLZ_L=j\omega L
WZW=AW(1j)ωZ_W=\frac{A_W(1-j)}{\sqrt{\omega}}
WoZWo=Z0jωτcoth(jωτ)Z_{Wo}=\frac{Z_0}{\sqrt{j\omega\tau}}\coth(\sqrt{j\omega\tau})
WsZWs=Z0tanh(jωτ)jωτZ_{Ws}=\frac{Z_0\tanh(\sqrt{j\omega\tau})}{\sqrt{j\omega\tau}}
CPEZCPE=1Q(jω)αZ_{CPE}=\frac{1}{Q(j\omega)^\alpha}
LaZLa=L(jω)αZ_{La}=L(j\omega)^\alpha
GZG=RG1+jωtGZ_G=\frac{R_G}{\sqrt{1+j\omega t_G}}
GsZGs=RG1+jωtGtanh(ϕ1+jωtG)Z_{Gs}=\frac{R_G}{\sqrt{1+j\omega t_G}\tanh(\phi\sqrt{1+j\omega t_G})}
KZK=R1+jωτkZ_K=\frac{R}{1+j\omega\tau_k}
ZarcZarc=R1+(jωτk)γZ_{arc}=\frac{R}{1+(j\omega\tau_k)^\gamma}
TLMQZTLMQ=RionZScothRionZSZ_{TLMQ}=\sqrt{R_{ion}Z_S}\coth\sqrt{\frac{R_{ion}}{Z_S}},其中 ZS=1QS(jω)γZ_S=\frac{1}{Q_S(j\omega)^\gamma}
TZT=Acothββ+B1βsinhβZ_T=A\frac{\coth\beta}{\beta}+B\frac{1}{\beta\sinh\beta},其中 β=(a+jωb)1/2\beta=(a+j\omega b)^{1/2}

多参数元件中,_0_1_2_3 按公式中的参数顺序对应。例如 CPE1_0QQCPE1_1α\alphaWo1_0Z0Z_0Wo1_1τ\tauGs1_0Gs1_1Gs1_2 分别为 RGR_GtGt_Gϕ\phi。具体单位以上方“元件总览”表为准。

实用建议

如果你还没有检查原始 EIS 曲线,建议先使用 EIS 绘图:Nyquist 和 Bode 查看 Nyquist/Bode 图。若曲线存在明显异常点、感抗尾或低频漂移,应先处理数据质量问题,再进行等效电路拟合。

如果等效电路参数解释不稳定,也可以使用 EIS/DRT 分析 观察时间常数分布,再回到本流程选择更有物理依据的电路结构。